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2SA2013-TD-E

功能描述：两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 50V

RoHS：否

制造商：STMicroelectronics

配置：

晶体管极性：PNP

集电极—基极电压 VCBO：

集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V

集电极—射极饱和电压：

最大直流电集电极电流：

增益带宽产品fT：

直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A

最大工作温度：

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2

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